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  磷化铟（InP）是AI算力、光通信、无人驾驶激光雷达等范畴的中心资料，全球90%以上高端产能被日本住友、美国AXT等海外企业独占，供需缺口超70%，国产代替火烧眉毛。

  我国具有全球70%以上的铟资源，方针层面将磷化铟归入《要点新资料首批次使用演示辅导目录》，推进国产代替。

  云南锗业：控股子公司云南鑫耀半导体完成6英寸磷化铟衬底量产，良率70%-75%，经过华为海思验证，产能15万片/年（2-4英寸），方案扩产至45万片/年，是国内衬底龙头。

  有研新材：承当国家02专项，完成6英寸磷化铟单晶片技能攻关，小批量供货，7N超高纯铟制备技能打破，打通“高纯质料-衬底单晶”全链条。

  三安光电：国内仅有具有6英寸磷化铟外延片全链量产才能的IDM厂商，InP基EML芯片适配1.6T光模块需求，经过英伟达认证，进入QVL合格供货商名单。

  源杰科技：国内磷化铟激光器芯片IDM龙头，完成100G EML芯片量产，批量供货给中际旭创、光迅科技等，切入微软、谷歌供应链。

  南大光电：国内仅有完成6N级磷烷规模化出产的企业，打破海外电子特气独占。

  技能应战：6英寸高端衬底良率提高、100G及以上高速光芯片量产等技能仍需打破，扩产周期长达18-36个月。

  商场机会：2026-2028年国产代替率有望从缺乏30%提高至50%以上，具有大尺度量产才能、头部客户认证的企业将享用量价齐升盈利。

  未来方向：Inp-on-Si异质集成、8英寸晶圆工业化等技能打破将重塑工业格式，国产企业有望在全球磷化铟商场占有更大比例。

  整体而言，磷化铟国产代替已从“单点打破”迈向“全链掩盖”，云南锗业、三安光电、源杰科技等企业成为国产代替的中心力气，未来随技能迭代和产能开释，国产磷化铟工业有望完成从“卡脖子”到“自主可控”的改变。